Voltaggi pari a 1.5V e 1.35V
Seoul, Korea - 1 febbraio 2010. Samsung ha annunciato il prossimo debutto di memorie DRAM con processo produttivo a 30 nm e densità pari a 2 GB; i voltaggi dichiarati sono pari a 1.5V e 1.35V su memorie DDR3 per servers, desktops e notebook.
Le memorie DDR3 DRAM da 2Gb a 30nm consumeranno fino al 30% in meno rispetto alle attuali memorie basate sul processo produttivo 50nm DRAM. Un modulo da 4GB a 30nm montato su un notebook arriverà a consumare fino a 3W per ora, il 3% circa del consumo totale dell'intera macchina.
Il nuovo processo produttivo incrementerà inoltre le rese produttive del 60% rispetto alla tecnologia 40nm.
La produzione di massa è attesa per la seconda metà del 2010.
